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晶元等離子體處理系統(tǒng)GX-H80裝置的組成：
等離子體表面處理裝置由反應(yīng)腔體（又稱真空腔體）、真空系統(tǒng)、等離子體發(fā)生系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、進氣流量控制系統(tǒng)等組成。
考慮到生產(chǎn)操作的簡便和效率，被處理材料的邊料節(jié)約以及該處理裝置的性價比，本裝置擬考慮采用水平式放置結(jié)構(gòu)。反應(yīng)腔由真空室、平板式電極組成，是等離子體（Plasma）處理反應(yīng)的有效空間，待處理物品水平置于反應(yīng)腔內(nèi)并可以設(shè)計成多層結(jié)構(gòu)便于大批量作業(yè)；真空系統(tǒng)由真空閥門、真空泵以及真空管路、真空系統(tǒng)控制執(zhí)行元件等組成，負(fù)責(zé)將反應(yīng)腔內(nèi)的空氣抽至預(yù)先的設(shè)定值并在工作時維持相應(yīng)的真空度；考慮到本裝置被處理材料要求清潔和活化作用，故本裝置的等離子體發(fā)生源擬采用波形經(jīng)過特殊處理的、具有高速震蕩功能的等離子體發(fā)生源，該系統(tǒng)源為反應(yīng)腔提供等離子體能量，以激發(fā)反應(yīng)腔內(nèi)的被反應(yīng)氣體急劇震蕩電離，形成所需要的具有清潔能力的等離子體（Plasma）；電控系統(tǒng)的作用是按照預(yù)設(shè)的工藝參數(shù)和步驟，智能最優(yōu)自動控制該裝置的工藝流程的全過程，并能自整定維持工藝參數(shù)的穩(wěn)定性；工藝反應(yīng)氣體進氣流量控制系統(tǒng)主要由質(zhì)量流量計和自控電磁閥門組成，其作用是精確控制反應(yīng)氣體的進氣量，并維持工作期間所需要的真空度值。
晶元等離子體處理系統(tǒng)GX-H80采用PLC可編程式控制，人機對話采用觸摸屏設(shè)置和顯示，界面友好，處理參數(shù)可以在觸摸屏上任意設(shè)定，具有手動/自動切換功能。自動操作采用“一鍵式”，工作過程完全由計算機自動控制完成。手動操作由用戶在手動模式界面上自行完成。
晶元等離子體處理系統(tǒng)GX-H80主要技術(shù)參數(shù)： | |
整機外形尺寸 | 660mm×950mm×1700mm（W×D×H） |
真空腔體尺寸 | 450mm×450mm×400mm（W×D×H） |
真空腔體容積 | 80L |
水準(zhǔn)電極尺寸 | 內(nèi)置平板式電極，420×310mm（W×D） |
可載物層數(shù) | 6層 |
等離子發(fā)生生系統(tǒng) | 射頻等離子源（13.56MHZ） 功率，0-500W |
控制系統(tǒng) | 觸摸屏+PLC全自動控制 |
進氣系統(tǒng) | 2路進氣、1路放空 |
所有設(shè)備均可進行非標(biāo)定制，其他參數(shù)，涉及到公司內(nèi)部機密，請您來電咨詢。
